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線性微(wei)透(tou)鏡陣列
簡介：

線性微透鏡陣列采用熔融石英和硅材料基底，由4個或8個透鏡組成。硅材料折射率高，可實現短焦距、高數值孔徑透鏡陣列設計，而熔融石英具有良好的熱穩定性和可見光傳輸，便于對準。線性微透鏡陣列用于在光纖到光纖或激光到光纖應用中準直和耦合光纖陣列，例如與半導體激光二極管一起使用。 這些透鏡為近紅外（NIR）設計了增透鍍膜，用于1310和1550nm，是近紅外激光器或電信設備的理想選擇。
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產品(pin)詳情(qing)

產品特點(dian)：

  • 熔融(rong)石英(ying)和硅基底
  • 1x4 和(he) 1x8 透鏡陣(zhen)列配置
  • 是光纖耦合和(he)準(zhun)直的理想(xiang)選擇
  • 透鏡(jing)剖面: Spherical

類型

尺寸(cun) (mm)

間(jian)距 (μm)

涂層(ceng)

Mode Field Diameter (mm)

產品(pin)

編(bian)碼

單價(jia)

1 x 4

Linear Array

2.05 x 1.30

250

BBAR (1260-1675nm), Lens Side

Source: 0.0104 Target: 0.085

21-172

805

1 x 8

Linear Array

3.05 x 1.30

250

BBAR (1260-1675nm), Lens Side

Source: 0.0104 Target: 0.085

21-173

935

1 x 4

Linear Array

4.30 x 2.05

750

BBAR (1250-1620nm)

Source: 0.0092 Target: 0.25

21-174

805

1 x 8

Linear Array

7.30 x 2.05

750

BBAR (1250-1620nm)

Source: 0.0092 Target: 0.25

21-175

935

1 x 4

Linear Array

1.45 x 0.70

250

BBAR (1250-1620nm)

Source: 0.0092 Target: 0.08

21-176

805

1 x 8

Linear Array

2.45 x 0.70

250

BBAR (1250-1620nm)

Source: 0.0092 Target: 0.08

21-177

935

1 x 4

Linear Array

4.45 x 2.20

750

BBAR (1250-1620nm)

Source: 0.0104 Target: 0.25

21-178

805

1 x 8

Linear Array

7.45 x 2.20

750

BBAR (1250-1620nm)

Source: 0.0104 Target: 0.25

21-179

935

1 x 4 Linear Array

4.45 x 2.20

750

BBAR (1250-1620nm)

Source: 0.0092 Target: 0.25

21-180

805

1 x 8

Linear Array

7.45 x 2.20

750

BBAR (1250-1620nm)

Source: 0.0092 Target: 0.25

21-181

935

1 x 4

Linear Array

4.45 x 2.20

750

BBAR (1250-1620nm)

Source: 0.003 Target: 0.25

21-182

805

1 x 8

Linear Array

7.45 x 2.20

750

BBAR (1250-1620nm)

Source: 0.003 Target: 0.25

21-183

935



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