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超快薄膜(mo)偏振片

超(chao)快薄膜(mo)偏(pian)振片(pian)運用薄膜(mo)鍍膜(mo)技術，在 800 和(he) 1030nm 處實現最佳性能。在入射(she)(she)角為45° 時，這些偏(pian)振片(pian)上的(de)離子束濺(jian)射(she)(she) (IBS) 鍍膜(mo)可對(dui) s 偏(pian)振提供(gong)超(chao)過>99.8% 的(de)反射(she)(she)率，對(dui) p 偏(pian)振提供(gong)超(chao)過 98% 的(de)透(tou)射(she)(she)率。TECHSPEC 超(chao)快薄膜(mo)偏(pian)振片(pian)非常適合與超(chao)快激(ji)光源（例(li)如(ru) Ti:sapphire 和(he) Yb:doped 激(ji)光器）搭配(pei)使(shi)用。若您的(de)應用需要(yao)使(shi)用定制尺寸或鍍膜(mo)規格的(de)超(chao)快薄膜(mo)偏(pian)振片(pian)，請(qing)聯系我們(men)。

注意(yi)：這些光學元件邊緣上的箭(jian)頭(tou)指向薄膜偏振片鍍膜。

• 非常(chang)適用于 800nm 和 1030nm 超快(kuai)激光器
• 已針對在(zai)45° 入(ru)射角時分離 S 偏振和 P 偏振進行了優化(hua)
• 在DWL具(ju)有 1000:1 的高消光比
• 消光比:1000:1
• 表面質量:10-5
• 有(you)效孔(kong)徑 (%):85
• 厚(hou)度 (mm):3.00 ±0.10
• 平行度(du)（弧分(fen)）:<3
• 入射角 (°):45 ±1
• 涂層:Thin Film Dielectric
• 傳(chuan)輸波前(qian)，P-V (λ):λ/10 @ 633nm
• 基(ji)底:Fused Silica

高能(neng)激(ji)光線(xian)偏振片

高(gao)(gao)能(neng)(neng)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)線偏(pian)振(zhen)片用(yong)于(yu)透(tou)射P偏(pian)振(zhen)光(guang)(guang)(guang)(guang)而反射S偏(pian)振(zhen)光(guang)(guang)(guang)(guang)。這(zhe)(zhe)些(xie)偏(pian)振(zhen)片具有結合了高(gao)(gao)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)損傷閾(yu)值和高(gao)(gao)消光(guang)(guang)(guang)(guang)比特點的(de)(de)薄膜介(jie)質鍍膜，可以在一(yi)系列激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)應用(yong)中達到(dao)最佳性(xing)(xing)能(neng)(neng)。UV級熔融石英(ying)基片能(neng)(neng)夠最大化性(xing)(xing)能(neng)(neng)，而硬質抗反射涂層使得這(zhe)(zhe)款耐用(yong)的(de)(de)偏(pian)振(zhen)片易于(yu)清洗(xi)和對齊。高(gao)(gao)能(neng)(neng)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)線偏(pian)振(zhen)片可用(yong)于(yu)常見的(de)(de)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)波長(chang)。

• 高(gao)消光比達到 10,000:1
• 45° 入(ru)射角(jiao)
• 消光比:10000:1
• 表面質量:40-20
• 厚度 (mm):6.00
• 入射(she)角 (°):45 ±2
• 透射率 (%) :>98 (P-Polarization)
• 傳輸波(bo)前，P-V (λ):λ/4 @ 633nm
• 構(gou)造 :Thin Film Dielectric
• 基(ji)底(di):Fused Silica

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